存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)真的復(fù)蘇了嗎？

　　近日，兩大存儲(chǔ)品類仿佛都進(jìn)入復(fù)蘇期。研究機(jī)構(gòu)TrendForce（集邦咨詢）最新數(shù)據(jù)顯示，2025年第二季度DRAM（動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）的整體營(yíng)收為316.3億美元，季增17.1%，而NAND（閃存芯片）的整體出貨量持續(xù)增長(zhǎng)，前五大品牌廠合計(jì)營(yíng)收季增22%，至146.7億美元。但值得注意的是，頭部廠商的產(chǎn)能調(diào)控制造了短期供需錯(cuò)配，營(yíng)造出了產(chǎn)品出貨量和價(jià)格大幅提升的積極氛圍，而需求端的真實(shí)現(xiàn)象是AI與非AI的產(chǎn)品需求差異巨大，存儲(chǔ)市場(chǎng)尚未真正進(jìn)入新一輪復(fù)蘇周期，而是陷入了“頭部企業(yè)調(diào)控影響供需、技術(shù)分化加劇失衡、周期規(guī)律紊亂”的復(fù)雜困境。

　　供需錯(cuò)配導(dǎo)致復(fù)蘇幻象

　　存儲(chǔ)市場(chǎng)當(dāng)前的“復(fù)蘇”態(tài)勢(shì)，很大程度上是三星、SK海力士、美光等頭部企業(yè)產(chǎn)能調(diào)整與技術(shù)路線選擇共同作用的結(jié)果，而非真實(shí)需求全面拉動(dòng)。

　　DRAM方面，TrendForce數(shù)據(jù)顯示，2025年第二季度DRAM產(chǎn)業(yè)因一般型DRAM（Conventional DRAM）合約價(jià)上漲、出貨量顯著增長(zhǎng)，加上HBM（高帶寬內(nèi)存）出貨規(guī)模擴(kuò)張，平均銷售單價(jià)（ASP）隨PC OEM（電腦生產(chǎn)代工廠）、智能手機(jī)、CSP（云服務(wù)供應(yīng)商）等采購(gòu)方的購(gòu)買熱情增溫而回升，加速制造商去庫(kù)存化，但這種價(jià)格上漲存在明顯的技術(shù)分化驅(qū)動(dòng)特征，頭部原廠將產(chǎn)能大量轉(zhuǎn)向HBM、DDR5等高階產(chǎn)品，并宣布PC/Server用DDR4進(jìn)入生命周期末期（EOL），直接引發(fā)下游對(duì)DDR4的急性備貨，預(yù)計(jì)2025年第三季度Consumer DDR4 DRAM合約價(jià)到季增高達(dá)85%~90%，但這種臨時(shí)性調(diào)整造成的供給空窗期并非存儲(chǔ)市場(chǎng)復(fù)蘇的信號(hào)。

　　NAND市場(chǎng)同樣充滿不確定性。盡管第二季度NAND合約價(jià)季增5%~10%，但細(xì)分市場(chǎng)表現(xiàn)嚴(yán)重分化。受惠于NVIDIA Blackwell平臺(tái)出貨的Enterprise SSD價(jià)格上漲10%，而智能手機(jī)用eMMC/UFS產(chǎn)品漲幅不足5%，呈現(xiàn)“旺季不旺”的反常態(tài)勢(shì)。這種分化源于制造商的利潤(rùn)導(dǎo)向策略。據(jù)悉，三星與SK海力士計(jì)劃在2025年下半年放緩對(duì)先進(jìn)NAND的投資步伐。這一決策主要是由于市場(chǎng)需求不確定性較高，且企業(yè)資金更多集中于DRAM和封裝領(lǐng)域，導(dǎo)致對(duì)NAND的投資負(fù)擔(dān)加重。

　　三星在韓國(guó)平澤P1廠的第9代NAND轉(zhuǎn)換投資已傳出延后消息，原計(jì)劃最快在2025年第二季度啟動(dòng)，但目前尚未落實(shí)。Digitimes9月1日發(fā)布消息稱，三星原計(jì)劃在西安X2產(chǎn)線率先導(dǎo)入第9代NAND的混合鍵合技術(shù)，但近期已決定取消，并計(jì)劃從400層以上的第10代NAND起正式導(dǎo)入。

　　不過(guò)，第十代NAND的量產(chǎn)投資預(yù)計(jì)最快也要到2026年中期；SK海力士同樣將大部分資金集中于最先進(jìn)的DRAM和HBM領(lǐng)域。由于其在第10代NAND的開發(fā)進(jìn)度落后于三星，短期內(nèi)也難以期待新的投資。SK海力士在2025年第二季度財(cái)報(bào)會(huì)議中表示，NAND投資將依據(jù)下游需求情況，維持審慎步調(diào)，并以提升獲利性為核心目標(biāo)；西部數(shù)據(jù)和美光將NAND產(chǎn)量削減15%，并優(yōu)先保障高毛利的企業(yè)級(jí)產(chǎn)品供應(yīng)。

　　需求端方面，AI與非AI產(chǎn)品需求差異巨大，增加了市場(chǎng)供需走向的不確定性。AI服務(wù)器和數(shù)據(jù)中心建設(shè)確實(shí)帶動(dòng)HBM、企業(yè)級(jí)SSD等高端技術(shù)產(chǎn)品需求增長(zhǎng)，這是源于AI大模型訓(xùn)練和推理對(duì)存儲(chǔ)高帶寬、低延遲、大容量的嚴(yán)苛要求。以HBM為例，2025年需求持續(xù)井噴，“存儲(chǔ)三巨頭”均宣布推動(dòng)HBM增產(chǎn)，SK海力士預(yù)測(cè)AI服務(wù)器出貨量增長(zhǎng)將帶動(dòng)HBM需求持續(xù)攀升。專家預(yù)測(cè)，2025年HBM出貨量同比增長(zhǎng)65%，并同步拉動(dòng)DDR5相關(guān)產(chǎn)品需求。

　　反觀非AI產(chǎn)品需求，尤其是消費(fèi)電子市場(chǎng)，對(duì)中低端存儲(chǔ)的需求卻持續(xù)低迷。IDC數(shù)據(jù)顯示，全球智能手機(jī)出貨量預(yù)計(jì)在2025年同比增長(zhǎng)僅為1%，增速較第一季度的1.5%進(jìn)一步放緩，筆記本電腦出貨量亦呈現(xiàn)下滑態(tài)勢(shì)。美光首席財(cái)務(wù)官M(fèi)ark Murphy在2025財(cái)年第二財(cái)季財(cái)報(bào)電話會(huì)議中指出，除了HBM、DDR5等AI產(chǎn)品線外，價(jià)格較低的消費(fèi)級(jí)DRAM在產(chǎn)品結(jié)構(gòu)中仍占有相當(dāng)比例，加上NAND Flash閃存芯片需求低迷，產(chǎn)能利用率不佳，預(yù)計(jì)第三財(cái)季毛利率將進(jìn)一步下滑。這種非AI需求的疲軟與AI產(chǎn)品的火熱形成鮮明反差，成為供需結(jié)構(gòu)扭曲的核心誘因之一。

　　值得注意的是，當(dāng)前的漲價(jià)幻象，正在引發(fā)中小廠商的誤判。存儲(chǔ)芯片設(shè)計(jì)公司群聯(lián)電子、慧榮科技在第二季度加大了對(duì)消費(fèi)級(jí)NAND控制器的備貨，卻因下游終端需求不足導(dǎo)致庫(kù)存積壓，群聯(lián)電子第二季度庫(kù)存周轉(zhuǎn)天數(shù)從45天延長(zhǎng)至62天，不得不下調(diào)第三季度營(yíng)收預(yù)期。

　　TrendForce預(yù)測(cè)，2026年第一季度存儲(chǔ)芯片價(jià)格將進(jìn)入下跌周期，其中NAND因消費(fèi)端需求未達(dá)預(yù)期，價(jià)格環(huán)比跌幅可能達(dá)10%~15%，這表明當(dāng)前漲價(jià)缺乏可持續(xù)需求支撐。

　　傳統(tǒng)周期性規(guī)律生變

　　當(dāng)前，存儲(chǔ)市場(chǎng)的傳統(tǒng)周期性特征在多種因素的疊加下越發(fā)紊亂。過(guò)去三十年，存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)遵循著“產(chǎn)能過(guò)剩-價(jià)格下跌-廠商減產(chǎn)-供需平衡-價(jià)格回升-產(chǎn)能擴(kuò)張-再次過(guò)?！钡闹芷谛砸?guī)律，一個(gè)完整周期通常為3-4年。但從2023年至今，這一規(guī)律被徹底打破。本應(yīng)在2024年進(jìn)入下行周期的存儲(chǔ)市場(chǎng)，因AI需求爆發(fā)和頭部廠商控產(chǎn)，價(jià)格在2025年意外反彈；而傳統(tǒng)消費(fèi)級(jí)市場(chǎng)的低迷，又讓周期復(fù)蘇的“普適性”消失。

　　從供需層面看，周期的“驅(qū)動(dòng)邏輯”從“需求主導(dǎo)”轉(zhuǎn)向“供給調(diào)控主導(dǎo)”。2025年全球DRAM位元需求同比增長(zhǎng)13%，但產(chǎn)能增長(zhǎng)達(dá)16%，且產(chǎn)能集中投向HBM、DDR5等高端產(chǎn)品，中低端產(chǎn)品產(chǎn)能收縮15%，這種“結(jié)構(gòu)性產(chǎn)能過(guò)剩與短缺并存”的狀態(tài)，讓供需缺口收窄節(jié)奏充滿不確定性，為2026年價(jià)格回調(diào)埋下隱患，無(wú)法再用傳統(tǒng)周期理論進(jìn)行預(yù)測(cè)回調(diào)幅度。

　　更嚴(yán)重的是，周期的“幅度波動(dòng)”變得異常劇烈，市場(chǎng)穩(wěn)定性大幅下降。在傳統(tǒng)周期中DRAM價(jià)格的最大漲幅通常不超過(guò)50%，最大跌幅不超過(guò)40%，且價(jià)格波動(dòng)呈現(xiàn)出“漸進(jìn)式”特征；但此次周期中，價(jià)格波動(dòng)的幅度和速度都遠(yuǎn)超歷史水平。以DDR5-4800內(nèi)存顆粒為例，2024年第四季度價(jià)格還處于每顆1.2美元的谷底，2025年第二季度就飆升至每顆2.1美元，短短6個(gè)月內(nèi)漲幅達(dá)75%，遠(yuǎn)超傳統(tǒng)周期的漲幅上限；而HBM價(jià)格的波動(dòng)更為極端，2024年第三季度HBM2e的價(jià)格為25美元/GB，2025年第二季度已漲至45美元/GB，漲幅達(dá)80%，這種“過(guò)山車式”的價(jià)格波動(dòng)，不僅讓下游模組廠商、終端設(shè)備廠商面臨成本壓力，也加劇了整個(gè)產(chǎn)業(yè)鏈的經(jīng)營(yíng)風(fēng)險(xiǎn)。

　　專家表示，存儲(chǔ)市場(chǎng)正處于周期邏輯重構(gòu)的關(guān)鍵階段，短期來(lái)看，原廠調(diào)控與補(bǔ)庫(kù)行為或維持價(jià)格高位至2025年年底；中期而言，2026年第一季度大概率成為本輪上行周期的終結(jié)點(diǎn)，消費(fèi)電子需求疲軟與中低端產(chǎn)能釋放將推動(dòng)市場(chǎng)進(jìn)入調(diào)整階段。(記者 許子皓)

　　轉(zhuǎn)自：中國(guó)電子報(bào)

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