存儲(chǔ)價(jià)格上漲是一次長(zhǎng)周期范式轉(zhuǎn)移

　　全球性的存儲(chǔ)芯片短缺，不僅體現(xiàn)在價(jià)格跳漲、產(chǎn)能爭(zhēng)奪和下游終端廠商的成本壓力，甚至影響到了普通人的日常決策。在大模型、智能體等AI范式的部署競(jìng)速期，數(shù)據(jù)產(chǎn)生的方式、速度、規(guī)模已經(jīng)遠(yuǎn)遠(yuǎn)超出了人們的想象，對(duì)存儲(chǔ)芯片的需求呈現(xiàn)線性暴漲態(tài)勢(shì)。

　　在3月27日舉辦的CFMS｜MemoryS 2026上，深圳市閃存市場(chǎng)資訊有限公司總經(jīng)理邰煒表示，存儲(chǔ)行業(yè)的焦點(diǎn)已經(jīng)從“看誰(shuí)更便宜”，轉(zhuǎn)向“看誰(shuí)能拿到貨”。本次存儲(chǔ)的價(jià)格上漲完全不同于以往的周期性價(jià)格反彈，而是一次長(zhǎng)周期的范式轉(zhuǎn)移。

　　哪些規(guī)格的存儲(chǔ)產(chǎn)品特別缺？

　　過(guò)去幾十年，存儲(chǔ)一直被視為行業(yè)周期的晴雨表。但如今，存儲(chǔ)迎來(lái)了真正意義上的“時(shí)代拐點(diǎn)”，從BOM表的成本項(xiàng)上升為AI計(jì)算的戰(zhàn)略資源，也從周期性產(chǎn)品變成數(shù)字經(jīng)濟(jì)的核心競(jìng)爭(zhēng)力。

　　而存儲(chǔ)重要性的直線上升，本質(zhì)上是由于AI時(shí)代數(shù)據(jù)生成方式的變化。相比曾經(jīng)由用戶寫(xiě)文檔、拍照、拍視頻產(chǎn)生的數(shù)據(jù)，當(dāng)前及未來(lái)由海量大模型的多模態(tài)參數(shù)所不間斷產(chǎn)生的數(shù)據(jù)規(guī)模，帶來(lái)了遠(yuǎn)超想象的存儲(chǔ)空間需求。

　　在數(shù)據(jù)中心服務(wù)器這一AI算力基礎(chǔ)設(shè)施上，存儲(chǔ)容量正大幅提升。單個(gè)通用服務(wù)器的存儲(chǔ)需求通常包括512GB~1TB的DDR5、4TB及以下的eSSD；而AI服務(wù)器的DDR5需求在1.5TB~4TB，eSSD需求為4/8TB并逐步向8/16TB提升，還需要HBM3E或HBM4。

　　邰煒指出，大模型的訓(xùn)練、推理、微調(diào)以及多模型應(yīng)用等每一個(gè)環(huán)節(jié)都把存儲(chǔ)的帶寬和容量拉到極致。HBM從小眾高端產(chǎn)品一舉變成AI時(shí)代的石油；大容量DDR5內(nèi)存成為AI服務(wù)器標(biāo)配；企業(yè)級(jí)SSD不僅是存儲(chǔ)的載體，更成為整個(gè)算力架構(gòu)突破性能瓶頸的關(guān)鍵。

　　從具體規(guī)格來(lái)看，哪些存儲(chǔ)產(chǎn)品的需求會(huì)格外緊俏？

　　DRAM方面，DDR5-6400（6400頻率的DDR5）需求將在2026年上漲，DDR5-7200和DDR5-8000將在2027年加速落地；PCIe6.0 SSD在服務(wù)器的滲透開(kāi)始加速；美光科技與英偉達(dá)聯(lián)合開(kāi)發(fā)的SOCAMM、基于LPDDR的MRDIMM等也開(kāi)始大量應(yīng)用；LPDDR不再是手機(jī)和超級(jí)本的專屬存儲(chǔ)，服務(wù)器、汽車等領(lǐng)域都將搶奪LPDDR產(chǎn)能。

　　NAND方面，隨著AI短上下文演變?yōu)殚L(zhǎng)上下文，KV Cache占用的存儲(chǔ)空間會(huì)隨著Token數(shù)量和并發(fā)請(qǐng)求量而線性暴漲。HBM無(wú)法承受如此量級(jí)的存儲(chǔ)，因此KV Cache的需求開(kāi)始大規(guī)模轉(zhuǎn)向NVMe SSD，驅(qū)動(dòng)eSSD成為2026年NAND最大的應(yīng)用市場(chǎng)。

　　價(jià)格和產(chǎn)能走勢(shì)如何？

　　由于AI服務(wù)器需求的爆發(fā)性增長(zhǎng)，存儲(chǔ)供應(yīng)端的結(jié)構(gòu)性錯(cuò)配和短缺已成常態(tài)。面對(duì)這種情況，全球頭部原廠做出了同一個(gè)選擇：將最先進(jìn)的產(chǎn)能優(yōu)先投向AI存儲(chǔ)產(chǎn)品。這種產(chǎn)能分配，導(dǎo)致成熟制程、消費(fèi)級(jí)產(chǎn)能被持續(xù)擠壓——行業(yè)庫(kù)存水位降至歷史安全線以下。邰煒預(yù)計(jì)，2026—2027年存儲(chǔ)產(chǎn)能增量有限。

　　“在這一階段，有些產(chǎn)品剛從原廠下線就被立刻插入客戶的服務(wù)器中，這在以往是不可想象的。盡管存儲(chǔ)企業(yè)開(kāi)始增加資本支出以擴(kuò)張產(chǎn)能，但存儲(chǔ)產(chǎn)能擴(kuò)張周期往往長(zhǎng)達(dá)18至24個(gè)月，最早要到2027年才有新產(chǎn)能釋放。而新釋放的產(chǎn)能也滿足不了市場(chǎng)需求，供應(yīng)問(wèn)題在短期內(nèi)難以緩解?！臂樦赋觯八晕覀兣袛?，在2026年，全球沒(méi)有任何一款主流的AI產(chǎn)品能夠做到供需完全平衡。”

　　同樣值得注意的是，全球頭部存儲(chǔ)原廠在經(jīng)過(guò)幾輪的“巨虧周期”以后，不再盲目擴(kuò)產(chǎn)，而是“紀(jì)律性增產(chǎn)”，優(yōu)先提供高技術(shù)、高價(jià)值、高壁壘的產(chǎn)品。這也導(dǎo)致供應(yīng)彈性下降，未來(lái)波動(dòng)收窄，但利好整個(gè)行業(yè)的長(zhǎng)期景氣。

　　從先進(jìn)產(chǎn)品來(lái)看，HBM憑借3D堆疊結(jié)構(gòu)和TSV技術(shù)，已經(jīng)實(shí)現(xiàn)了遠(yuǎn)超傳統(tǒng)DDR的內(nèi)存帶寬，定義了當(dāng)前技術(shù)的天花板。在HBM3e和HBM4中，混合鍵合技術(shù)正逐漸取代傳統(tǒng)的微凸塊，成為推動(dòng)HBM性能升級(jí)的新核心；2.5D和3D封裝也在系統(tǒng)集成中起到關(guān)鍵支撐作用。

　　此外，Base Die將是HBM的下一個(gè)決勝點(diǎn)。為了讓計(jì)算和存儲(chǔ)靠得更近，很多計(jì)算能力會(huì)下放給Base Die。

　　NAND的發(fā)展也將更具備價(jià)值導(dǎo)向，加速高附加值的企業(yè)級(jí)SSD和下一代存儲(chǔ)技術(shù)滲透。隨著300層以上NAND大規(guī)模量產(chǎn)，成本將持續(xù)下探，高可靠性、低延遲、高使用壽命將成為新的定價(jià)標(biāo)尺。

　　在價(jià)格方面，存儲(chǔ)價(jià)格從2025年第四季度起迎來(lái)“史詩(shī)級(jí)上漲”。合約價(jià)、現(xiàn)貨價(jià)同步跳漲，并向渠道、模組、整機(jī)全線傳導(dǎo)。存儲(chǔ)的焦點(diǎn)已經(jīng)從“看誰(shuí)更便宜”，轉(zhuǎn)向“看誰(shuí)能拿到貨”。

　　“很多人問(wèn)我們價(jià)格什么時(shí)候會(huì)下跌，我們認(rèn)為這完全不同于以往的周期性價(jià)格反彈，而是一次長(zhǎng)周期的范式轉(zhuǎn)移?！臂樥f(shuō)道。不過(guò)，存儲(chǔ)產(chǎn)品價(jià)格在經(jīng)歷連續(xù)三個(gè)季度大漲以后，預(yù)計(jì)從今年第三季度開(kāi)始，漲價(jià)趨勢(shì)放緩并逐漸收斂，但在具體產(chǎn)品線存在分化。

　　面向高漲的景氣和供需的錯(cuò)配，邰煒認(rèn)為“要在繁榮之下保持足夠的冷靜”，一方面要警惕AI投資過(guò)熱帶來(lái)的階段性波動(dòng)，資本涌入、項(xiàng)目扎堆，都可能導(dǎo)致短期需求透支；另一方面，要警惕價(jià)格過(guò)快上漲對(duì)下游需求的抑制，存儲(chǔ)漲價(jià)最終要由終端承擔(dān)，過(guò)度透支需求會(huì)反噬整個(gè)生態(tài)。

　　邰煒還向存儲(chǔ)供給端和需求端提出建議。對(duì)于供給端，要堅(jiān)持理性擴(kuò)產(chǎn)，平衡AI與消費(fèi)、高端與基礎(chǔ)，用長(zhǎng)協(xié)、共贏、穩(wěn)定供給替代短期博弈。對(duì)于需求端，一要提前規(guī)劃、多元供貨，意識(shí)到鎖產(chǎn)能比談價(jià)格更重要；二要擁抱新技術(shù)架構(gòu)，從被動(dòng)買存儲(chǔ)轉(zhuǎn)向主動(dòng)優(yōu)化存儲(chǔ)；三要與上游聯(lián)合定義產(chǎn)品，共同應(yīng)對(duì)市場(chǎng)變化。（記者 張心怡）

　　轉(zhuǎn)自：中國(guó)電子報(bào)

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