我國實現(xiàn)12英寸碳化硅外延晶片全球首發(fā)

　　日前，全球首款300毫米（12英寸）碳化硅外延晶片在我國成功開發(fā)并實現(xiàn)技術(shù)首發(fā)，這一進展有望為我國第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)規(guī)?；⒌统杀緫?yīng)用奠定關(guān)鍵基礎(chǔ)。

　　碳化硅是第三代半導(dǎo)體核心材料，相較于傳統(tǒng)硅材料，在耐高壓、耐高溫和高頻性能上優(yōu)勢顯著。此次突破的12英寸碳化硅外延晶片由位于廈門火炬高新區(qū)的瀚天天成電子科技（廈門）股份有限公司研發(fā)，其直徑較當(dāng)前主流的6英寸產(chǎn)品大幅提升。

　　技術(shù)數(shù)據(jù)顯示，單片12英寸碳化硅外延晶片可承載的芯片數(shù)量是6英寸產(chǎn)品的4.4倍，是8英寸產(chǎn)品的2.3倍。這意味著在相同生產(chǎn)工序下，單片可承載芯片（器件）數(shù)量進一步擴容，從而可降低下游功率器件制造成本，加速其在新能源汽車、光伏發(fā)電、智能電網(wǎng)、軌道交通及航空航天等領(lǐng)域的規(guī)?；⒌统杀緫?yīng)用。

　　據(jù)悉，該產(chǎn)品的成功開發(fā)得益于關(guān)鍵供應(yīng)鏈的國產(chǎn)化協(xié)同，其核心生產(chǎn)設(shè)備與襯底材料均由國內(nèi)企業(yè)提供。產(chǎn)品在關(guān)鍵性能指標上表現(xiàn)優(yōu)異，外延層厚度不均勻性小于3%，摻雜濃度不均勻性控制在8%以內(nèi)，芯片良率超過96%，能夠滿足高可靠性功率器件的應(yīng)用需求。

　　近年來，全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)競爭正加速向大尺寸晶片演進。作為中國首家實現(xiàn)商業(yè)化3英寸、4英寸、6英寸碳化硅外延晶片批量供應(yīng)的生產(chǎn)商，瀚天天成電子科技（廈門）股份有限公司此次在12英寸碳化硅外延技術(shù)的率先突破，不僅體現(xiàn)了我國在該領(lǐng)域的技術(shù)領(lǐng)先性，也為構(gòu)建自主可控的第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)生態(tài)、搶占未來產(chǎn)業(yè)競爭制高點提供了強有力的材料基礎(chǔ)。目前，批量供應(yīng)籌備工作已啟動。

　　轉(zhuǎn)自：科技日報

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