半導(dǎo)體制程微縮至28納米

　　隨著半導(dǎo)體制程微縮到28納米，封測(cè)技術(shù)也跟著朝先進(jìn)制程演進(jìn)，日月光、矽品、京元電、力成、頎邦等一線大廠，皆加碼布局3DIC及相對(duì)應(yīng)的系統(tǒng)級(jí)封裝SiP產(chǎn)能，包括矽穿孔TSV、銅柱凸塊CopperPillarBump等。封測(cè)業(yè)者預(yù)估，最快2011年第4季應(yīng)可接單量產(chǎn)。

　　臺(tái)積電28納米制程已在2011年第2季正式量產(chǎn)，預(yù)計(jì)到第3季應(yīng)可持續(xù)放量。聯(lián)電在日前法說會(huì)曾指出，該公司已有相關(guān)40-28納米的規(guī)劃，預(yù)料28納米的發(fā)展會(huì)比40-65奈米為快，28奈米制程在2012年可望與40納米同步。

　　半導(dǎo)體制程進(jìn)入28納米時(shí)代，封裝技術(shù)也跟著同步演進(jìn)，包括3DIC相對(duì)的SiP、TSV以及銅柱凸塊，都是業(yè)者加碼布局的重點(diǎn)。隨著TSV加工技術(shù)進(jìn)步，與加工成本下滑，預(yù)估采用TSV3DIC技術(shù)的半導(dǎo)體產(chǎn)品出貨量市占比重，將從2009年的0.9%提高至2015年的14%。

　　SEMI臺(tái)灣暨東南亞區(qū)總裁曹世綸表示，3DIC是半導(dǎo)體封裝的必然趨勢(shì)，現(xiàn)在所有產(chǎn)業(yè)鏈中的廠商都在尋找更經(jīng)濟(jì)的解決方案和合作伙伴，希望盡早克服技術(shù)瓶頸，達(dá)成量產(chǎn)目標(biāo)。

　　3DIC將是后PC時(shí)代主流，力成、爾必達(dá)Elpida與聯(lián)電將針對(duì)28納米及以下制程，提!升3DIC整合技術(shù)，預(yù)計(jì)于第3季進(jìn)入試產(chǎn)階段，其他封測(cè)大廠包括日月光、矽品等，也積極部署3D堆疊封裝技術(shù)，2012~2013年將可以見到明顯增溫態(tài)勢(shì)。

　　日月光集團(tuán)總經(jīng)理暨研發(fā)長(zhǎng)唐和明指出，由于使用矽基=SiliconInterposer的2.5DIC供應(yīng)鏈已大致完備，2.5DIC的導(dǎo)入預(yù)期會(huì)幫助半導(dǎo)體技術(shù)順利地由40奈米導(dǎo)入28納米及以下。在電腦及智慧型手機(jī)等應(yīng)用驅(qū)動(dòng)下，預(yù)估至2013年2.5D與3DIC的商業(yè)化產(chǎn)品將有機(jī)會(huì)問世。

　　艾克爾在日前的法說會(huì)上提及，該公司在第2季資本支出達(dá)9,700萬(wàn)美元，用于支應(yīng)晶片尺寸覆晶封裝FCCSP、堆疊式FCCSPflipchipstackedCSP、細(xì)線路銅柱凸塊覆晶封裝finepitchcopperpillarflipchip等新一代先進(jìn)封裝技術(shù)。該公司表示，在積極著墨下，上述封裝技術(shù)的2011年上半營(yíng)收比2010年同期倍增。

　　臺(tái)灣3大封測(cè)廠皆具備銅柱凸塊相關(guān)技術(shù)能力，在銅打線制程領(lǐng)先的日月光銅柱凸塊，已開始送樣認(rèn)證。根據(jù)客戶產(chǎn)品藍(lán)圖規(guī)劃，隨著28納米制程在2012年躍升主流，也將推升銅柱凸塊需求大幅成長(zhǎng)。力成已有相關(guān)機(jī)臺(tái)到位，并與客戶進(jìn)行認(rèn)證中，預(yù)計(jì)2011年第4季~2012年第1季即可量產(chǎn)。

　　頎邦和京元電于2011年3月簽訂合作備忘錄。著眼于電子產(chǎn)品輕薄短小為市場(chǎng)趨勢(shì)，電源管理IC為加強(qiáng)散熱以及增加電壓，對(duì)于厚銅制程需求開始浮現(xiàn)，且厚銅制程與金凸塊、錫鉛凸塊制程類似，機(jī)器設(shè)備?|性高，電源管理IC便成為頎邦及京元電共同合作布局的新領(lǐng)域。同時(shí)中小尺寸LCD驅(qū)動(dòng)IC轉(zhuǎn)向12吋廠生產(chǎn)，8吋金凸塊產(chǎn)能開始閑置，朝向厚銅制程方向發(fā)展也可解決8吋金凸塊產(chǎn)能過剩問題。

來源：機(jī)械專家網(wǎng)

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