預(yù)計2013年將為高性能存儲集成芯片的轉(zhuǎn)折點

愛達荷州博伊西和韓國首爾 2013-04-03中國商業(yè)電訊－－100多名開發(fā)商和應(yīng)用商之間的合作將向眾多行業(yè)和消費群體提供， 新的突破性內(nèi)存計算解決方案

混合內(nèi)存立方體聯(lián)盟HMCC中的100多位開發(fā)商和應(yīng)用商成員今日宣布他們已就混合內(nèi)存立方體的全球標(biāo)準(zhǔn)達成共識，該標(biāo)準(zhǔn)將提供備受期待的、突破性內(nèi)存計算解決方案。該最終規(guī)范的制定僅花費了17個月的時間，其對眾多行業(yè)，從網(wǎng)絡(luò)和高性能計算到工業(yè)和其他行業(yè)的設(shè)計者標(biāo)志著新的轉(zhuǎn)折點，使他們可以開始在未來的產(chǎn)品中采用混合存儲立方體（HMC）技術(shù)進行設(shè)計。

HMC的一項重大突破是利用期待已久的先進技術(shù)將高性能邏輯與最先進的 DRAM 相結(jié)合。由于如此迅速地達到HMC 的第一個里程碑，該聯(lián)盟成員已決定將延長其協(xié)作力度以盡快達成關(guān)于HMC 下一代接口標(biāo)準(zhǔn)的協(xié)議。

“我們與主要內(nèi)存公司和本行業(yè)其他許多公司之間的共識將會大大促進這種有前途的技術(shù)的推出”， Samsung Semiconductor, Inc.公司內(nèi)存規(guī)劃和產(chǎn)品營銷副總裁Jim Elliott說?！坝捎贖MCC的工作，IT系統(tǒng)設(shè)計師和制造商將可以獲得優(yōu)于目前所提供的其他內(nèi)存選項的新型綠色內(nèi)存解決方案”。

“這一里程碑標(biāo)志著內(nèi)存壁壘的拆除”，Micron公司DRAM營銷副總裁Robert Feurle 說。“該行業(yè)協(xié)議將促進HMC技術(shù)盡快地得到應(yīng)用，我們相信這將會徹底地改善計算系統(tǒng)，并最終改善消費者的應(yīng)用程序”。

“目前在雷達上,HMC是一個非常特殊的產(chǎn)品”，SK hynix Inc公司DRAM 產(chǎn)品規(guī)劃和推廣集團副總裁JH Oh說。“HMC 使內(nèi)存的性能提高到一個嶄新的水平，這些內(nèi)存將提供呈指數(shù)增長的性能和效率，這將重新定義內(nèi)存的未來”。

按照設(shè)想，HMC 在性能、封裝和能效等方面的能力將飛躍式地超過當(dāng)前和近期的內(nèi)存構(gòu)架。

本行業(yè)面臨著的主要挑戰(zhàn)和形成HMCC的主要動機之一是：高性能計算機和下一代網(wǎng)絡(luò)設(shè)備需要的內(nèi)存帶寬的增長已超過常規(guī)內(nèi)存架構(gòu)所能有效地提供的。“內(nèi)存壁壘”一詞已被用來描述這一挑戰(zhàn)。打破內(nèi)存壁壘需要像HMC這樣的架構(gòu)，其可提供不斷增加的密度和帶寬，而同時又顯著地降低功耗。

HMC 標(biāo)準(zhǔn)側(cè)重于在優(yōu)化處理器和內(nèi)存之間的性能以促進高帶寬內(nèi)存產(chǎn)品在各種領(lǐng)域的大規(guī)模應(yīng)用的同時減輕極具挑戰(zhàn)性的帶寬瓶頸。更有效率、 更高帶寬內(nèi)存的解決方案對服務(wù)器、高性能計算、 網(wǎng)絡(luò)、 云計算和消費類電子產(chǎn)品已成為特別重要的要求。

該達成的規(guī)范為需要為FPGA、ASIC、和 ASSP等（例如高性能網(wǎng)絡(luò)）提供緊耦合內(nèi)存或接近內(nèi)存的支持、試驗與測量的應(yīng)用程序在互跨物理層（物理）層面提供了先進的短距 SR 和超短距 USR互連方式。該聯(lián)盟的下一個目標(biāo)是進一步推動該標(biāo)準(zhǔn)旨在提高數(shù)據(jù)傳輸速度。對SR，數(shù)據(jù)傳輸速率從 10、 12.5 和 15 千兆比特每秒 Gb/s 提高到 28 Gb/s；對USR，從10 Gb/s 提高到15 Gb/s。預(yù)計該聯(lián)盟將于2014 年第一季度達成關(guān)于下一代規(guī)范的協(xié)議。

HMCC側(cè)重于OEM廠商、推廣商和集成商之間的協(xié)作，他們正進行合作以制定和實施HMC 開放接口標(biāo)準(zhǔn)。來自亞洲、日本、 歐洲和美國的100多家技術(shù)領(lǐng)先公司已為此做出了貢獻，其中包括Altera、ARM、 Cray、Fujitsu、GLOBALFOUNDRIES、HP、IBM、Marvell、Micron Technology、National Instruments、Open-Silicon、Samsung、SK hynix、ST Microelectronics、Teradyne和Xilinx。該聯(lián)盟的繼續(xù)合作最終可促進在高性能計算、 網(wǎng)絡(luò)、 能源、 無線通訊、 交通、 安全和其他半導(dǎo)體應(yīng)用中的新用途。

可以在 www.hybridmemorycube.org 上找到更多的信息、 技術(shù)支持規(guī)范和采用該技術(shù)的其他工具。

關(guān)于HMCC

混合內(nèi)存立方體聯(lián)盟（HMCC）由世界半導(dǎo)體行業(yè)的主要成員發(fā)起成立，該聯(lián)盟致力于為混合內(nèi)存立方體技術(shù)制定和建立行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)接口規(guī)范。其成員包括Altera Corporation、ARM、HP、IBM、Micron Technology、Open-Silicon, Inc.、Samsung Electronics Co., Ltd.、SK hynix Inc.和Xilinx, Inc。若需了解有關(guān)HMCC的詳細信息，請訪問 www.hybridmemorycube.org。

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JH Kwon

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來源：中國商業(yè)電訊

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