近日,全球三大領(lǐng)軍存儲廠商相繼發(fā)布的財(cái)報(bào)顯示,營收均大幅增長,這預(yù)示著全球存儲芯片產(chǎn)能產(chǎn)值正逐漸恢復(fù)增長。
三大領(lǐng)軍企業(yè)財(cái)報(bào)飄紅存儲貢獻(xiàn)突出
近日,三星電子公布了今年第二季度財(cái)報(bào)。根據(jù)財(cái)報(bào),三星電子第二季度營收63.67萬億韓元(約合3572.5億元),創(chuàng)有史以來第二季度收入最高紀(jì)錄;凈利潤達(dá)9.45萬億韓元(約合530.2億元)。三星表示,本次收入的大幅提升,主要是因?yàn)閮?nèi)存芯片(DRAM和NAND)的出貨量和價(jià)格增幅均超出預(yù)期。
此前,SK海力士發(fā)布第二季度財(cái)報(bào)稱,其第二季度收入為10.322萬億韓元(約合579.2億元),凈利潤為1.988萬億韓元(約合111.5億元),凈利潤率為19%。SK海力士表示,從今年年初開始,PC、圖像處理、消費(fèi)級存儲器需求大幅增加,服務(wù)器用存儲器需求也得到恢復(fù),從而帶動(dòng)了業(yè)績的改善。這是繼2018年第三季度之后,時(shí)隔3年再次出現(xiàn)的佳績。SK海力士預(yù)計(jì),今年下半年的需求也將持續(xù)增加,并隨著旺季的到來,存儲器市場的良好趨勢將持續(xù)下去。
7月1日,美光科技發(fā)布截至6月3日的第三財(cái)季報(bào)告,營收74.22億美元(約合479.5億元),毛利潤為31.26億美元(約合202億元),毛利率為42.1%。美光科技總裁兼首席執(zhí)行官桑杰·梅赫羅特拉(Sanjay Mehrotra)表示,DRAM和NAND的價(jià)格上漲和客戶的需求推動(dòng)了收入增長。DRAM第三財(cái)季收入為54億美元,占總收入的73%;NAND第三財(cái)季收入為18億美元,占總收入的24%,創(chuàng)下公司歷史新高。美光科技預(yù)計(jì),隨著全球經(jīng)濟(jì)復(fù)蘇,DRAM和NAND的供應(yīng)將在2022年繼續(xù)緊張。雖然新冠肺炎疫情仍然是一個(gè)風(fēng)險(xiǎn)因素,但受宏觀經(jīng)濟(jì)復(fù)蘇以及AI和5G等長期驅(qū)動(dòng)因素的推動(dòng),2021年正成為半導(dǎo)體企業(yè)強(qiáng)勁增長的一年。由此看出,存儲芯片市場在經(jīng)歷上一年的價(jià)格波動(dòng)之后,正在逐漸回暖,重回發(fā)展快車道。
壟斷是存儲芯片價(jià)格波動(dòng)大的原因之一
2019年,受全球缺芯潮、新冠肺炎疫情以及季節(jié)性需求等因素的影響,存儲芯片價(jià)格出現(xiàn)持續(xù)波動(dòng),給各大存儲芯片廠商帶來了沖擊。據(jù)世界半導(dǎo)體貿(mào)易統(tǒng)計(jì)組織(WSTS)統(tǒng)計(jì),2019年全球存儲芯片的市場規(guī)模為1064億美元,相比2018年減少了516億美元,而2020年回升到1175億美元,增長了111億美元,出現(xiàn)穩(wěn)定上升勢頭。同時(shí),WSTS預(yù)計(jì),2021年全球半導(dǎo)體產(chǎn)值將達(dá)5272億美元,同比增長19.7%;其中,存儲器產(chǎn)值同比增長31.7%,增幅將居首位。2022年全球半導(dǎo)體產(chǎn)值可望進(jìn)一步達(dá)5734億美元,同比增長8.8%;其中,存儲器產(chǎn)值將成長17.4%,增幅仍將高居第一。這說明,存儲芯片成為全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)持續(xù)發(fā)展的主要推動(dòng)力,并始終保持超高成長性。
對于存儲芯片的價(jià)格波動(dòng)問題,賽迪顧問集成電路產(chǎn)業(yè)研究中心研究員楊俊剛表示,存儲芯片產(chǎn)品價(jià)格具有周期性,存儲芯片的產(chǎn)品價(jià)格主要和市場需求、產(chǎn)品存量、產(chǎn)品更新迭代有一定的關(guān)系。近期,全球芯片整體處于缺貨狀態(tài),雖然存儲芯片屬于通用型產(chǎn)品,但是也受到了全球芯片缺貨的影響,導(dǎo)致存儲芯片價(jià)格有一定的波動(dòng)。
創(chuàng)道投資咨詢總經(jīng)理步日欣向《中國電子報(bào)》記者指出,存儲芯片價(jià)格向來是半導(dǎo)體領(lǐng)域價(jià)格波動(dòng)較為明顯的品類,主要原因就是整個(gè)市場格局處在壟斷狀態(tài),幾大巨頭很容易就價(jià)格上漲達(dá)成默契。
中國存儲芯片企業(yè)參與全球競爭還需時(shí)日
我國是存儲芯片需求量最高的國家,根據(jù)賽迪顧問的數(shù)據(jù),2020年中國存儲器市場規(guī)模約為4266億元,按WSTS預(yù)計(jì)的2020年全球存儲器市場規(guī)模基數(shù)(約合7593.9億元)估算,中國市場約占全球整體規(guī)模的56%。預(yù)計(jì)未來中國存儲芯片市場需求還將繼續(xù)保持穩(wěn)定增長的態(tài)勢。
楊俊剛指出,我國在存儲芯片領(lǐng)域已取得了不俗的成績,合肥長鑫量產(chǎn)了國內(nèi)首款19nm DDR4內(nèi)存芯片;長江存儲完成了64層3D NAND Flash的量產(chǎn),并且完成了128層3D NAND Flash產(chǎn)品的研發(fā),已經(jīng)通過客戶驗(yàn)證階段;兆易創(chuàng)新Nor Flash的市場份額已經(jīng)進(jìn)入全球前三;聚辰半導(dǎo)體的EEPROM的市場份額也已經(jīng)進(jìn)入全球前三。
聯(lián)蕓科技執(zhí)行副總裁李國陽向《中國電子報(bào)》記者表示:“目前在存儲芯片領(lǐng)域,我國實(shí)現(xiàn)了DDR3/4 DRAM及64/128層3D NAND閃存顆粒技術(shù)突破,并初步實(shí)現(xiàn)規(guī)模量產(chǎn)和產(chǎn)能釋放,這是我國在存儲芯片領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)的零的突破和標(biāo)志性成就?;诋?dāng)前的技術(shù)突破和產(chǎn)能持續(xù)釋放,以及良品率和可靠性的不斷提升,未來,我國將有可能真正成為全球存儲芯片制造重要的參與者和貢獻(xiàn)者?!?/p>
不過,目前我國存儲產(chǎn)業(yè)與國外相比仍存在較大差距。楊俊剛解釋道,我國屬于剛?cè)刖终?,在技術(shù)水平、研發(fā)能力、產(chǎn)品種類、產(chǎn)品迭代速度、資金實(shí)力、知識產(chǎn)權(quán)、市場份額等方面和全球先進(jìn)廠商有一定的差距。目前我國中低端存儲芯片的技術(shù)水平已經(jīng)慢慢趕上,并后來居上。
而步日欣向《中國電子報(bào)》記者指出,對于存儲芯片,我們的挑戰(zhàn)不僅存在于資本投入、技術(shù)攻關(guān)方面,還存在于市場生態(tài)的建立上,下一步要打通整個(gè)產(chǎn)業(yè)鏈條的環(huán)節(jié),讓國產(chǎn)存儲芯片找到用武之地,逐步利用本土優(yōu)勢,循序漸進(jìn)地?fù)屨际袌??!按鎯π酒袠I(yè)知識產(chǎn)權(quán)壁壘較高,具有高技術(shù)門檻的特性,而且一般采用IDM模式,需要大額的資本投入,才有可能實(shí)現(xiàn)突破?;谶@一行業(yè)特性,要有效推動(dòng)存儲芯片發(fā)展,在依靠市場化手段的同時(shí),更需要政策引導(dǎo),統(tǒng)籌推動(dòng)國產(chǎn)芯片的應(yīng)用場景落地、技術(shù)更新和迭代?!辈饺招辣硎?。(記者 許子皓)
轉(zhuǎn)自:中國電子報(bào)
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